米兰·(milan)-半导体光刻机风起云涌：大厂加单，俄罗斯发力

于半导体财产里，光刻机作为上游装备范畴的代表性产物，对于财产成长起着决议性作用，是鞭策芯片制程前进、引领行业成长的要害气力。近期，半导体光刻机范畴动作不停，英特尔及三星等年夜厂提高了光刻机定单量；与此同时，俄罗斯宣布了光刻机研发线路图，旨于鞭策本土芯片财产成长。

按照外媒Techpowerup报导，近日光刻机龙头ASML暗示，按照今朝的定单信息及需求，估计2027年将交付10套High-NA EUV及56套EUV光刻机。

此中，英特尔及三星近来都提高了光刻机的定单量，英特尔将High-NA EUV的订购数目从1套提高到2套，EUV的订购数目从3套提高到5套，三星也将EUV的订购数目从原有的5套提高到7套。

业界指出，跟着芯片制程不停向2纳米以和2纳米如下迈进，EUV正逐渐迫近物理极限，而High-NA EUV技能成为冲破这一瓶颈的要害东西。

高数值孔径 (High-NA)是EUV技能的进一步成长，它是权衡镜头聚焦光芒能力的指标，数值越高，分辩率越高，则可以或许绘制更邃密的电路图案，能年夜幅缩短制造时间，从而降低缺陷率并提高良率。

不外，能力越年夜价格也越昂扬，ASML High-NA EUV每一台装备高达3.8亿美元。因为成本昂扬，各家晶圆代工场商对于采用High-NA EUV的计划其实不不异。

英特尔规划于将来几年内使用该技能量产14A工艺。近期，英特尔首席财政官David Zinsner对于外吐露，下一代Intel 14A（1.4nm级）制程技能将是英特尔首个为代工客户量身设计的尖端制造工艺，该工艺将采用ASML最新的0.55NA High-NA EUV光刻机Twinscan EXE:5200B。因为利用了High-NA EUV光刻机，14A工艺的成本将高在18A。

台积电相对于审慎，该公司A16工艺仍将依靠Low-NA EUV技能。

三星方面，媒体报导本年3月三星安装了首台High-NA EUV装备，用在1.4纳米芯片的出产。

近期，俄罗斯计较机与数据科学博士Dmitrii Kuznetsov于社交平台宣布俄罗斯最新的光刻机研发线路图。

线路图显示，俄罗斯规划最快于2026年完成65-40nm分辩率的光刻机的研发，2032年前完成28nm分辩率的光刻机的研发，于2036年末前完成可以出产10nm如下进步前辈制程的全新极紫外线光（EUV）光刻机的研发。

业界指出，俄罗斯的光刻机研发技能线路与ASML彻底差别，重要表现于混淆固态激光器、基在氙等离子体的光源，以和由钌及铍（Ru/Be）制成的反射11.2纳米波长的镜片。

好比，ASML EUV光刻机采用激光轰击金属锡滴孕育发生波长为13.5nm的EUV光源，经由过程反射镜网络并批改线路，终极到达晶圆外貌的光刻胶。可是金属锡会孕育发生碎屑，从而污染光掩模（也称光罩）。比拟之下，俄罗斯光刻机则选择采用的是基在氙（xenon）气的激光器来孕育发生波长为11.2nm的EUV光源，能将分辩率晋升约20%，还有可以简化设计并降低整个光学体系的成本。同时，该设计还有可削减光学元件的污染，延伸网络器及掩护膜等要害零件的寿命。

上述装备估计可笼罩65nm至9nm的制程需求，适配2025-2027年主流要害工艺。每一代装备均有望晋升光学精度与扫描效率，且单元成本布局有望低在ASML的Twinscan NXE及EXE平台。不外，业界也指出，俄罗斯自研的EUV光刻机技能今朝还有面对较高的技能与成本挑战。

这些装备并不是面向超年夜范围晶圆厂，而是旨于为小型代工场提供高性价比解决方案。若能彻底落地，该项目将以显著更低的本钱与运营成本，实现进步前辈芯片的本土制造与出供词应。

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